STW13NK80Z

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要应对空间和成本的挑战时，您是否在寻找一个能够一锤定音的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH家族的明星成员STW13NK80Z。这颗强大的N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和高达12A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起一道坚不可摧的性能防线。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、实现设计精简化的关键引擎。

想象一下，在工业电源、服务器电源、UPS不间断电源甚至高功率LED驱动等严苛场景中，系统稳定性和效率就是生命线。STW13NK80Z正是为此而生。其SuperMESH技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为650毫欧。这意味着在高压大电流通过时，芯片自身的损耗被降至极低，更多的能量被有效输送给负载，而不是白白转化为热量。这不仅直接提升了整机效率，更显著降低了散热设计的压力和系统长期运行的风险，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的可靠性和能效脱颖而出。

选择STW13NK80Z，就是选择了一份从容与信心。它高达230W的功率耗散能力，配合经典的TO-247-3封装，确保了强大的散热性能和便捷的安装工艺。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让它能够从容应对从极寒到酷热的各类环境挑战。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其在升级换代或特定需求项目中依然极具价值。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。这不仅是品质的保证，更是为您的项目顺利推进保驾护航。让STW13NK80Z成为您下一个成功设计的坚实基石，开启高效、可靠的高压电源新篇章。

• 型号:STW13NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。