STW13NM60N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在高压大电流的应用中，既保证系统的稳定运行，又能有效控制功耗与成本？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STW13NM60N。这款来自ST意法半导体的功率MOSFET，凭借其MDmesh II技术的深厚底蕴，早已在众多严苛应用中证明了自身价值。即使处于停产状态，其卓越的性能参数和广泛的市场存量，依然使其成为升级换代或特定项目设计中极具性价比的可靠选择。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或PFC（功率因数校正）电路中，一颗能够承受600V高压、连续通过11A电流的开关器件是何等重要。STW13NM60N正是为此而生。它采用经典的TO-247-3封装，提供强大的通孔安装可靠性，确保在高温高湿等恶劣环境下依然稳固。其核心的MDmesh II技术，通过优化单元结构和工艺，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的完美平衡。这意味着在开关过程中，它不仅导通损耗低，而且开关速度快、驱动简单，能显著提升整体系统的转换效率，让热量更少，能量更多地为您的终端产品服务。

无论是工业级变频器、UPS不同断电源，还是高功率LED照明驱动和电焊机，STW13NM60N都能游刃有余。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）赋予了产品应对极端气候的坚韧品质。选择它，不仅仅是选择了一个元器件，更是选择了一份由ST意法半导体强大技术背书的安全感与高性能保障。对于需要稳定供货和专业技术支持的客户，通过值得信赖的ST一级代理进行采购，无疑是获取正品芯片和获取库存信息的最佳途径。让这颗历经考验的功率芯片，成为您打造下一代高效、耐用电力电子产品的坚实基石。

• 型号:STW13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。