STW15NM60ND

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STW15NM60ND。这款来自意法半导体FDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压和14A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效与稳定的代名词。即便处于停产状态，其卓越的性能和广泛的应用基础，依然使其在特定升级和备货市场中闪烁着不可替代的价值光芒。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动和照明镇流器中，STW15NM60ND正在默默发挥着核心作用。它那低至299毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，而不是浪费在发热上。高达125W的功率耗散能力，配合经典的TO-247-3封装，为散热设计提供了坚实的基础，确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。这颗芯片就像一位经验丰富的马拉松选手，在高速开关的赛道上，既能保持爆发力（低栅极电荷Qg），又能持久稳定，减少系统的“疲劳”与损耗。

选择STW15NM60ND，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份源自意法半导体尖端FDmesh II技术的品质承诺。其优化的技术平台显著降低了开关损耗，这对于提升整体系统效率、缩小散热器尺寸乃至降低系统总成本都至关重要。虽然该型号已停产，但对于许多现有设计的维护、升级或特定批量的生产，它仍然是经过验证的可靠选择。通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装产品，为您的项目延续这份稳定与高效。让STW15NM60ND的成熟魅力，为您下一个电力转换项目注入强劲而可靠的动力。

• 型号:STW15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW15NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。