STW16NK60Z

当您需要一款能够在高压环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STW16NK60Z这颗经典的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是意法半导体SuperMESH技术家族中的一员悍将，专为应对严苛的工业环境而生。想象一下，在您的电源设计或电机驱动方案中，一颗能够承受600V高压、持续输出14A电流的开关，将如何为您的系统注入强劲而稳定的动力，让整体性能跃升到一个新的台阶。

这颗芯片的应用舞台极为广阔。无论是工业级开关电源（SMPS）中的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑，还是变频器、UPS（不间断电源）中的核心功率转换单元，甚至是电焊机、大功率照明驱动等对耐压和电流能力要求极高的领域，STW16NK60Z都能凭借其出色的电气参数游刃有余。它的存在，意味着您的设备可以在更小的体积内实现更大的功率密度，同时保持优异的散热表现和长期工作的稳定性。选择与可靠的ST芯片代理合作，您不仅能获得这颗性能卓越的器件，更能得到从选型到应用的全方位技术支持。

那么，在众多功率器件中，为何要特别关注STW16NK60Z呢？其核心魅力在于意法半导体引以为傲的SuperMESH技术。这项技术通过优化单元结构和工艺，在相同的芯片面积下，实现了更低的导通电阻（Rds(on)）和更优的开关特性。具体到这颗芯片，它在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为420毫欧，这意味着更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于简化驱动电路设计，提升开关速度，从而降低开关损耗。高达190W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它无与伦比的鲁棒性和过载承受能力。虽然其零件状态标注为“停产”，但这恰恰证明了它是一款经过长期市场验证、成熟可靠的经典产品，库存和替代方案清晰，对于许多成熟、长生命周期的产品设计而言，它依然是高性价比和低风险的稳健之选。

• 型号:STW16NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW16NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。