STW16NM50N

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低导通电阻与卓越开关性能于一身的功率器件，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STW16NM50N之中。

源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，这颗N沟道MOSFET绝非普通开关。它拥有高达500V的漏源击穿电压和15A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的安全边际和功率处理基础。更令人心动的是，其导通电阻（RdsOn）在10V驱动电压下低至260毫欧，这意味着在导通状态下，它能将能量损耗降至极低，让更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。无论是面对工业电机驱动中频繁的启停，还是开关电源中高速的PWM切换，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）都确保了干净利落的开关动作，显著减少开关损耗，提升整体系统效率。

这种卓越的性能，使其成为诸多高要求应用场景的理想心脏。在服务器电源和通信电源中，它助力实现80Plus金牌乃至白金级别的能效标准，为企业数据中心节省可观的电费开支。对于空调、洗衣机等家电的变频驱动板，STW16NM50N的高可靠性和低损耗特性，直接转化为更安静的运行、更长的寿命和更低的待机功耗。即使在照明领域，如大功率LED驱动和HID镇流器，它也能确保稳定高效的能量转换，点亮更明亮、更节能的未来。选择它，就是为您的产品注入了来自ST原厂的顶级功率技术基因。

那么，在众多型号中为何独独青睐它？首先，MDmesh II结构是其性能的保证，这种创新技术完美平衡了导通电阻与开关速度，是经过市场验证的成熟方案。其次，TO-247-3的经典封装提供了出色的散热路径，结合高达125W的功率耗散能力，让您在应对高温环境时更有信心。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获得有保障的库存和专业技术支持，这对于维护现有产品线或进行特定批次的升级至关重要。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效突破的战略性选择。让STW16NM50N成为您下一个成功设计的强大基石。

• 型号:STW16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW16NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。