STW18NK80Z

在追求更高能效与更强可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压大电流开关器件的选择而反复权衡？当面对严苛的工业环境与复杂的负载变化时，一颗性能卓越的功率MOSFET往往是决定系统成败的关键。现在，让我们将目光聚焦于一款历经市场验证的经典之作STW18NK80Z。它不仅仅是一个元件，更是您构建高效、稳定电源系统的坚实基石。

源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这款N沟道MOSFET天生就拥有卓越的基因。高达800V的漏源击穿电压（Vdss）和19A的连续漏极电流能力，赋予了它从容应对工业电机驱动、大功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）以及电焊机等高压应用场景的底气。想象一下，在您的电源拓扑中，它如同一位沉稳的指挥官，在频繁的开关动作中，凭借其低至380毫欧的导通电阻（Rds(on)），显著降低导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。这不仅意味着系统整体效率的提升，更直接带来了散热设计的简化和长期运行可靠性的飞跃。

无论是面对空调压缩机驱动中反复启停的冲击电流，还是光伏逆变器里需要处理的高压直流母线，STW18NK80Z都能展现出强大的适应性。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得驱动电路设计更为轻松，有助于减少开关损耗，提升系统在更高频率下的工作潜力。TO-247-3的经典封装形式，确保了优异的散热性能和机械强度，让它在功率密度与可靠性之间找到了完美的平衡点。选择它，就是选择了一份来自ST原厂的品质承诺和深厚的技术底蕴。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST芯片代理将是您值得信赖的合作伙伴，为您提供从选型到供应的全方位支持。

尽管该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场应用案例，使其在特定存量项目、备件更换或对成本与性能有特殊权衡的设计中，依然具有重要的参考价值和吸引力。它代表了一个时代的技术结晶，其设计理念和性能标杆至今仍在影响着新一代功率器件的发展。当您需要一个久经考验、性能参数扎实的解决方案来保障关键系统的运行时，STW18NK80Z所代表的可靠性与高效能，无疑是您值得纳入考量的重要理由。

• 型号:STW18NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:250 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。