STW200NF03

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键功率开关，不仅需要承载高达120A的电流，还要在频繁切换中保持冷静与高效，这直接决定了整个系统的性能上限与可靠性。今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STW200NF03，这颗源自ST意法半导体STripFET II家族的N沟道功率MOSFET，正是为应对此类严苛挑战而生。

它的核心魅力在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压下，仅需2.8毫欧的阻值，就能让高达60A的电流顺畅通过。这意味着什么？意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，以及更高的整体能效。无论是服务器电源中要求苛刻的DC-DC转换，还是工业电机驱动中需要强劲扭矩和快速响应的桥臂，亦或是大功率UPS和电焊机中那些不容有失的能量切换节点，STW200NF03都能以其卓越的电流处理能力（连续漏极电流120A）和高达350W的功率耗散潜力，成为系统稳定运行的坚实基石。其TO-247-3的经典封装，提供了优异的散热路径，确保芯片在-55°C至175°C的宽广结温范围内游刃有余。

选择STW200NF03，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的设计和广泛的应用验证，使其在存量市场和高可靠性要求的延续项目中依然极具价值。对于寻求稳定供应与技术支持的设计者而言，通过正规的ST授权代理渠道进行采购，是确保获得原装正品、获取完整技术资料乃至寻找替代方案支持的关键一步。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品功率密度、优化散热设计、实现能效目标的强大助力。让这颗经典的功率器件，为您的下一个创新注入强劲而高效的动力。

• 型号:STW200NF03
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:280 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW200NF03的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。