STB150N3LH6

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流，又能保持超低导通损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STB150N3LH6。这款来自意法半导体的N沟道MOSFET，以其30V的耐压和高达80A的连续漏极电流能力，重新定义了中低压、大电流应用的性能标杆。想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动或电池保护电路中，一颗芯片就能显著降低系统热损耗，提升整体能效，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发力的电机驱动，甚至是新能源汽车辅助系统中的高效能量分配，STB150N3LH6都能游刃有余。其核心魅力在于STripFET VI与DeepGATE技术的完美融合，这不仅仅是技术的堆砌，更是对性能的极致追求。在10V驱动电压下，仅3毫欧的超低导通电阻，意味着在40A的大电流通过时，产生的导通损耗微乎其微，电能得以更高效地传递，而非转化为无用的热量。这不仅让您的系统运行更凉爽、更稳定，也直接延长了终端产品的使用寿命和可靠性。

选择STB150N3LH6，就是选择了一份经得起考验的品质与性能保障。它采用坚固的TO-263（DPak）封装，具备出色的散热能力，确保在-55°C至175°C的严苛结温范围内稳定工作。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的设计和广泛的市场验证，使其成为许多经典和特定应用设计中无可替代的优选。对于正在寻找可靠库存或进行产品生命周期管理的工程师而言，与一家资深的ST芯片代理合作，是确保稳定供应和获取专业技术支持的关键。让STB150N3LH6成为您提升产品功率密度和能源效率的秘密武器，助力您的设计从优秀走向卓越。

• 型号:STB150N3LH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB150N3LH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。