STW40N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与34A大电流的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STW40N60M2带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II Plus技术家族的杰出代表，专为那些对效率与可靠性有极致要求的应用而生。

当我们将目光投向工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高性能开关电源（SMPS），STW40N60M2的优势便展露无遗。其88毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更少的能量以热的形式浪费，直接为您带来更高的系统效率和更低的运营成本。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了更快的开关速度，这不仅减少了开关损耗，还允许您使用更小的驱动电路，从而简化设计并节省宝贵的PCB空间。其坚固的TO-247封装和高达250W的功率耗散能力，则为长期稳定运行提供了坚实的物理保障，让您的设备即使在严苛环境下也能从容应对。

选择STW40N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它源自全球半导体领导者意法半导体，其MDmesh II Plus技术已成功应用于无数关键领域。这颗芯片能帮助您轻松突破效率瓶颈，提升产品功率密度，并显著增强系统的整体可靠性。无论您是设计新一代太阳能逆变器、电动汽车充电桩，还是升级工业自动化设备，它都是您实现高性能目标的强大引擎。如需获取官方技术支持和可靠货源，您可以信赖专业的ST代理合作伙伴。让STW40N60M2成为您下一个成功产品的基石，开启能效与性能的新篇章。

• 型号:STW40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW40N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。