STW20N95DK5

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh DK5系列中的明星产品STW20N95DK5。这颗950V耐压、18A电流能力的N沟道功率MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是工程智慧的结晶，它代表着在严苛应用中对性能极限的又一次成功突破。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器的核心电路中，STW20N95DK5正以其卓越的表现默默耕耘。其MDmesh DK5超结技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动电压下，典型值低至330毫欧，这意味着更少的导通损耗和更低的温升，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。高达250W的功率耗散能力，配合TO-247封装出色的散热特性，让它在高功率密度设计中游刃有余，轻松应对-55°C至150°C的广阔工作温度范围，确保您的设备在极端环境下依然稳定如山。

选择STW20N95DK5，就是选择了一份从容与信心。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、加速项目上市的战略伙伴。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，简化了驱动电路设计，让开关过程更快、更干净，有效减少电磁干扰（EMI）。无论您是设计新一代高效能充电桩、不间断电源（UPS），还是升级工业自动化设备，这颗芯片都能成为您最可靠的基石。如需获取样品、技术资料或批量采购，我们的专业ST芯片代理团队随时为您提供全方位支持，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:STW20N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20N95DK5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。