STW23NM60ND

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而烦恼？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STW23NM60ND，这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的关键引擎，其卓越的电气性能将直接转化为更低的运营成本和更长的设备寿命，让您的设计在市场中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的产生。STW23NM60ND凭借其FDmesh II技术，将导通电阻（Rds(on)）降至极低的180毫欧，这意味着在承载10A电流时，其自身的导通损耗被大幅削减。更低的损耗直接带来更低的温升，让系统运行更凉爽、更稳定。同时，其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，进一步减少了开关损耗，使得整个电源拓扑能够在更高的频率下高效工作，从而缩小磁性元件的体积，实现系统的小型化与轻量化。

选择STW23NM60ND，就是选择了一份安心与高效。它高达600V的漏源击穿电压和19.5A的连续电流能力，为应对复杂的工业电网环境提供了充足的电压和电流裕量，显著增强了系统的鲁棒性。其坚固的TO-247封装能够有效散热，结合150W的强大功率耗散能力，确保即使在严苛工况下也能持续稳定输出。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅为您提供原装正品保障，更能提供专业的技术支持与供应链服务，让您从选型到量产全程无忧。立即将STW23NM60ND纳入您的设计，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW23NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。