STW27N60M2-EP

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高开关损耗和散热难题而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出STW27N60M2-EP，这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现绿色节能目标的强大引擎。其卓越的性能参数，如600V的耐压能力和20A的连续电流，为您的设计提供了坚实的保障，让系统运行更稳定，寿命更长久。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源电动汽车的充电模块中，每一次高效的开关动作都意味着能量的节约和热量的减少。STW27N60M2-EP凭借其MDmesh M2-EP技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）。这意味着在频繁开关的应用中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。无论是应对严苛的工业环境，还是追求紧凑高效的消费类电源，它都能游刃有余，确保您的设备在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。

选择STW27N60M2-EP，就是选择了一份来自技术前沿的承诺。其TO-247-3封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达170W的功率耗散，更便于安装和产线自动化。更低的损耗直接转化为更小的散热器需求和更简洁的系统设计，帮助您节省宝贵的空间与物料成本。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，与值得信赖的ST一级代理合作，确保您获得正品货源与专业的技术支持，让您的产品从设计之初就赢在起跑线上。立即采用STW27N60M2-EP，为您的下一个项目注入高效与可靠的基因，共同迈向更智能、更节能的未来。

• 型号:STW27N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW27N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。