STD4NK50Z-1

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而反复权衡？现在，一个经过市场验证的成熟解决方案正静待您的发现STD4NK50Z-1。这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其卓越的500V耐压和优化的动态特性，早已成为众多工程师心中高效开关应用的经典之选。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、降低整体系统成本的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或是电机驱动控制板中，STD4NK50Z-1正稳健地工作着。其2.7欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是面对频繁启停的电机，还是需要精密调光的LED驱动，它都能提供快速、干净的开关动作，确保您的设计响应敏捷，运行平稳。其坚固的I-PAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，更是为产品在各种严苛环境下长期可靠运行提供了坚实保障。

选择STD4NK50Z-1，就是选择一份经过时间淬炼的信任。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在升级换代或特定存量项目设计中依然极具价值。它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀。对于希望获取这款经典器件或寻求相关技术支持的客户，可以通过专业的ST中国代理渠道进行咨询，他们能为您提供可靠的货源信息与专业的技术服务。让这颗经典芯片的余热，继续为您的创新产品注入稳定与高效的核心动力。

• 制造商产品型号：STD4NK50Z-1
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：310pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STD4NK50Z-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。