STW28N60M2

在追求更高能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？当600V高压应用需要同时承载24A电流时，传统的MOSFET往往在效率与温升之间顾此失彼。现在，这一切有了全新的答案来自ST意法半导体MDmesh II Plus家族的明星产品STW28N60M2，正以其卓越的性能重新定义高压功率开关的标杆。

这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，绝非普通功率器件可比。其核心魅力在于极低的导通电阻在12A电流、10V驱动电压下，Rds(On)最大值仅为150毫欧。这意味着在相同的功率等级下，它能显著降低导通损耗，让更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量。更低的损耗直接带来了更高的系统效率，对于追求“双碳”目标下的工业电源、服务器电源或新能源逆变器而言，每一次效率的提升都意味着可观的能源节约与碳排放的降低。同时，其优化的栅极电荷（Qg）与电容特性，确保了快速、干净的开关行为，能有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的系统设计更从容，性能更稳定。

无论是工业电机驱动中需要应对频繁启停和负载波动，还是UPS不间断电源要求毫秒级的响应与极高的可靠性，STW28N60M2都能轻松胜任。它坚固的TO-247封装和高达170W（Tc）的功率耗散能力，赋予了其出色的散热性能和功率处理潜力，确保在-55°C至150°C的严苛结温范围内稳定工作。这意味着您的产品可以适应从酷热车间到寒冷户外的各种环境挑战，生命周期内的故障率大大降低，为终端用户带来持久安心的使用体验。选择它，就是为您的电源、电机控制或照明系统注入一颗强劲而可靠的心脏。

为何众多领先制造商在关键项目中纷纷转向STW28N60M2？答案在于其带来的综合价值超越。它不仅仅是一个参数优秀的组件，更是系统级优化的催化剂。更低的损耗意味着更小的散热器需求，可能简化机械设计、降低成本；更高的效率允许使用更小的磁性元件，进一步缩小整体体积。这种由核心器件性能提升引发的连锁优化效应，能帮助您的产品在市场上脱颖而出，在性能、成本和体积上建立多维优势。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这款高性能芯片，专业的ST代理商能够为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，让创新之路畅通无阻。立即采用STW28N60M2，开启您下一代高效、紧凑、可靠的功率设计之旅。

• 型号:STW28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。