STW28NM50N

在追求极致能效的今天，您的电源或电机驱动系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭500V高压和21A大电流的功率开关，其导通电阻低至158毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统整体效率与可靠性的革命性飞跃。现在，这一切由STW28NM50N为您实现。

这款源自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，专为应对严苛的高压、高频应用而生。其卓越的开关特性，得益于优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），让您的系统在切换时更加迅速、平滑，显著降低开关损耗，从而将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是高性能开关电源（SMPS），它都能游刃有余，确保系统在满负荷运行时依然冷静、稳定。选择它，就是为您的产品注入了持久、高效的动力核心。

当您面临选型决策时，STW28NM50N提供的不仅仅是冰冷的规格。高达150W的功率处理能力和150°C的结温工作范围，意味着它在复杂工况下拥有更强的鲁棒性和更长的使用寿命。经典的TO-247-3封装，兼顾了优异的散热性能与成熟的工艺兼容性，让您的生产与升级都轻松无虞。更重要的是，选择这颗芯片，意味着您选择了ST意法半导体领先的功率半导体技术与可靠的品质保障。如果您正在寻找值得信赖的合作伙伴，专业的ST芯片代理将为您提供从技术选型到供应链支持的全方位服务，让创新之路更加顺畅。立即采用STW28NM50N，开启能效新境界，打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STW28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。