STW28NM60ND

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为功率器件的损耗和温升而烦恼？想象一下，当您的电源、电机驱动或工业设备需要处理高达600V的电压和23A的连续电流时，一颗兼具高耐压、低损耗与卓越热性能的功率MOSFET，正是解锁更高系统效率与可靠性的关键。今天，我们为您带来的STW28NM60ND，正是这样一款源自意法半导体FDmesh II技术的杰出解决方案，它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

无论是服务器电源需要的高效PFC（功率因数校正）电路，还是工业变频器、UPS不间断电源中严苛的开关应用，甚至是新能源领域如太阳能逆变器的核心功率模块，STW28NM60ND都能游刃有余。其150毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效传递，而非转化为令人头疼的热量。配合其高达190W的功率耗散能力和150°C的结温，即使在长时间高负荷运行下，也能保持稳定可靠的性能，让您的设备在复杂工况下依然坚如磐石。

选择STW28NM60ND，就是选择了一份对卓越性能的承诺。它采用经典的TO-247封装，不仅提供了优异的散热路径，也便于工程师进行布局和热管理。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更快、更干净，显著降低了开关损耗，并简化了驱动电路的设计，让系统整体运行更高效、更安静。这意味着您不仅能获得顶级的器件性能，还能在系统层面优化成本与体积。如果您正在寻找值得信赖的供货渠道，专业的ST代理能够为您提供完整的技术支持与供应链保障。让STW28NM60ND成为您下一代高性能设计的核心动力，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STW28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。