STW29NK50ZD

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，一颗集高性能与坚固耐用于一身的功率器件，将彻底改变您的设计体验。让我们向您隆重介绍STW29NK50ZD，这款来自ST意法半导体的SuperMESH N沟道MOSFET，正是为应对严苛应用而生的卓越解决方案。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，您需要一颗能够稳定承载高电压、大电流的“心脏”。STW29NK50ZD凭借其500V的漏源电压和29A的连续漏极电流，为您提供了充沛的动力储备。其核心魅力在于SuperMESH技术，这项ST的独家工艺显著降低了导通电阻，在14.5A、10V条件下最大值仅为130毫欧，这意味着更低的传导损耗和更出色的温升控制。更低的损耗直接转化为更高的系统效率，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的能效表现脱颖而出。

无论是面对频繁开关的变频器，还是需要长时间稳定运行的UPS不间断电源，STW29NK50ZD都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速且干净的开关行为，有效减少了开关损耗和电磁干扰，让您的系统运行更安静、更可靠。高达350W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在环境恶劣的工业现场也能稳定工作，极大提升了终端产品的寿命和口碑。

选择STW29NK50ZD，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份来自全球半导体领袖的品质承诺。它采用经典的TO-247-3通孔封装，便于焊接和散热处理，为您的PCB布局和热设计提供了便利。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以获得稳定优质的货源，为现有产品的持续生产与维护保驾护航。立即将这颗高效能、高可靠性的功率核心融入您的下一个设计，它将助您轻松攻克能效挑战，打造出更强大、更耐用的电力电子设备。

• 型号:STW29NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW29NK50ZD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。