STW30NM60N

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STW30NM60N，这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为突破极限、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的关键武器。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高功率照明镇流器等严苛的应用场景中，系统需要稳定处理高达600V的电压和25A的连续电流。这正是STW30NM60N大显身手的舞台。其采用的先进MDmesh II技术，通过优化的单元结构和工艺，实现了极低的导通电阻（典型值仅130毫欧），这意味着在相同电流下，芯片自身的功耗和发热被大幅降低。更低的损耗直接转化为更高的系统整体效率，让您的终端产品运行更凉爽、更节能，寿命也得以显著延长。无论是应对频繁开关的PWM控制，还是承受持续的高负载运行，它都能游刃有余，确保系统心脏的强劲与稳定。

选择STW30NM60N，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的技术保障与性能承诺。高达190W的功率耗散能力和150°C的结温工作范围，赋予了它卓越的过载和高温耐受性，让您的设计拥有更宽的安全裕量，从容应对各种突发状况。其TO-247-3封装不仅提供了优异的散热路径，便于安装散热器，也展现了其面向高功率应用的坚固基因。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得经过严格质量把控的原装正品，确保供应链的稳定与设计延续性。这颗芯片承载的，是让复杂的设计变简单，让苛刻的要求变轻松，最终让您的产品在市场中脱颖而出，赢得用户的信赖与口碑。

• 型号:STW30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。