STW34N65M5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭650V高压与28A大电流的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，这一切不再是想象，STW34N65M5的到来，正是为了回应这一挑战，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统可靠性、迈向高效未来的关键引擎。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh V系列，这款N沟道MOSFET天生就承载着高性能的基因。其110毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的电流下，它能将更多的能量传递给负载，而非转化为令人头疼的热量。高达190W的功率耗散能力与150°C的结温，赋予了它无与伦比的坚固性，即使在严苛的工业环境或持续高负载的服务器电源中，也能稳定运行，游刃有余。更低的栅极电荷与输入电容，直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，磁性元件可以更小，整体方案自然更具竞争力。

无论是数据中心里日夜不休的服务器电源单元（PSU），还是新能源领域蓬勃发展的太阳能逆变器、储能系统，亦或是工业电机驱动、电动汽车充电桩，STW34N65M5都能找到它的用武之地。在TO-247经典封装的稳健身躯内，蕴藏着应对复杂应用场景的强大实力。它让大功率AC-DC转换变得更为高效平滑，在功率因数校正（PFC）电路中表现出色，也能在LLC谐振拓扑中担当重任，帮助您设计出效率轻松突破95%甚至更高水平的尖端产品。

选择STW34N65M5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。意法半导体的品牌保证，确保了每一颗芯片都具备顶级的品质一致性和长期供货稳定性。其卓越的效能表现，不仅能直接降低系统的运行能耗和温升，更能简化您的散热设计，减少外围元件，从而在BOM成本和系统体积上赢得双重优势。当您需要可靠的技术支持和充足的货源保障时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理团队，将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即将STW34N65M5纳入您的设计，亲身体验它如何以强大的性能，为您的产品注入无可匹敌的市场竞争力。

• 型号:STW34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW34N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。