STW36N55M5

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束脚，您是否曾渴望一颗能够兼顾高性能与可靠性的功率开关解决方案？今天，我们为您带来的STW36N55M5，正是意法半导体MDmesh V系列中的一颗璀璨明珠，它将以550V的耐压和33A的连续电流能力，重新定义您对高效功率转换的期待。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明系统中，能量转换的每一个环节都至关重要。STW36N55M5凭借其先进的MDmesh V技术，将导通电阻（RdsOn）控制在极低水平，这意味着更少的导通损耗和更低的发热。当电流流过时，更多的能量被有效传递，而非转化为无用的热量，这不仅提升了整体系统效率，更能让您的设备在严苛环境下保持稳定运行，最高结温可达150°C，赋予了设计更大的余量和可靠性。

为何众多工程师在面临关键选型时会倾向于它？答案在于其卓越的综合性能与价值体现。高达190W的功率耗散能力，配合TO-247的经典封装，确保了强大的散热性能和机械坚固性。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗，并简化了驱动电路的设计。这意味着您不仅可以获得更高的开关频率以实现更小的磁性元件和更高的功率密度，还能在系统复杂性与成本之间找到完美平衡。选择STW36N55M5，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺，它能帮助您的产品在能效、尺寸和可靠性上脱颖而出。如需获取正品保障与专业支持，我们推荐您联系官方授权的ST代理商。

• 型号:STW36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 33A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW36N55M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。