STW38NB20

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压、大电流场景下稳定可靠，同时兼顾出色开关性能的功率开关器件而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案STW38NB20。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其200V的耐压和高达38A的连续漏极电流能力，早已成为众多工程师在工业电源、电机驱动和UPS系统等应用中的信赖之选。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统整体效率、确保长期稳定运行的坚实基石。

想象一下，在您的服务器电源模块中，需要高效处理能量转换；或者在电动工具的无刷电机驱动板上，要求瞬间爆发强劲动力。STW38NB20正是为应对这些挑战而生。其采用先进的PowerMESH技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至65毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和可靠性。高达180W的功率耗散能力，配合TO-247-3的经典封装，为散热设计提供了充裕的空间，让您的产品即使在严苛环境下也能从容应对。

选择STW38NB20，就是选择了一份经过时间淬炼的卓越性能与稳定性。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能参数和广泛的应用验证记录，使其在特定存量项目或对经典设计有延续性要求的场景中，依然具有不可替代的价值。为了确保您能获得正品货源和可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行咨询和采购。让这颗经典的功率芯片，继续为您的创新产品注入高效、可靠的动力核心，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STW38NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW38NB20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。