STW40N20

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰？当200V的电压平台遇上40A的电流需求，选择一颗怎样的MOSFET才能让系统既稳定可靠，又轻盈高效？答案或许就藏在STW40N20这颗经典的功率器件之中。它不仅仅是一个开关，更是通往更高能效、更紧凑设计的桥梁。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明驱动器的核心位置，能量正需要被精准、快速地控制与转换。STW40N20凭借其N沟道设计和200V的漏源电压能力，正是应对这类中高压、大电流场景的理想选择。其出色的STripFET技术，确保了在高达40A的连续电流下，依然能保持卓越的导通性能，将导通损耗降至最低，让热量不再是系统稳定性的威胁。这意味着您的电源产品可以运行得更凉爽，寿命更长，或者在同等散热条件下，输出更大的功率。

为何众多工程师在面临类似选型时，会倾向于它？关键在于其平衡而优秀的参数表现。仅45毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性，使得开关过程迅速而干净，显著降低了开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。这种在导通与开关性能间的精妙平衡，让STW40N20能够轻松胜任从硬开关到软开关的各种拓扑挑战。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其在存量市场、特定项目或对经典方案有需求的场景中，依然具有极高的参考和选用价值。如需获取库存或替代方案咨询，专业的ST代理商能为您提供全面的支持与服务。

选择STW40N20，不仅是选择了一个高性能的电子元件，更是选择了一份由意法半导体深厚技术底蕴所保障的可靠性。它封装于坚固的TO-247-3管壳中，提供了强大的功率耗散能力，确保在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内稳定运行。这颗芯片承载的是对高效能量管理的承诺，它能让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现和可靠性脱颖而出。当您构思下一个电源或驱动方案时，不妨让这份经典而强大的性能，成为您设计蓝图中的坚实基石。

• 型号:STW40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW40N20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。