STW47NM60ND

当您需要一款能够在严苛环境下稳定输出，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关解决方案时，您是否曾为选型而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案STW47NM60ND。这款来自意法半导体FDmesh II技术家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压和35A的连续电流能力，早已成为众多高要求应用中的中流砥柱。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、保障长期稳定运行的坚实后盾。

想象一下，在电动汽车的车载充电器(OBC)中，能量需要被高效、安全地转换与管理；在工业电机驱动和不断电系统(UPS)中，设备需要应对频繁的启停和负载变化；甚至在高端服务器电源和太阳能逆变器中，对效率与可靠性的追求永无止境。这正是STW47NM60ND大显身手的舞台。其极低的88毫欧导通电阻，意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的整体效率。高达255W的功率耗散能力与150°C的结温，赋予了它应对功率冲击和高温环境的强大韧性，确保您的产品即使在最恶劣的条件下也能持续稳定工作。

选择STW47NM60ND，就是选择了一份经过AEC-Q101车规认证的安心。它代表了意法半导体对品质的极致追求，FDmesh II专利技术优化了单元结构，在降低导通电阻和栅极电荷之间取得了完美平衡。这不仅让开关速度更快、开关损耗更低，也让驱动电路的设计更为简化。尽管该型号目前已停产，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在存量市场和高可靠性设计中依然具有重要价值。如果您正在寻找可靠的货源或技术支持，可以咨询专业的ST代理，他们能为您提供关于这颗经典器件的进一步支持与替代方案建议。让STW47NM60ND的成熟魅力，为您当前及未来的高可靠性电源与驱动设计注入强大动力。

• 型号:STW47NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW47NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。