STW56N60M2

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一个能同时兼顾高性能与高性价比的解决方案？答案或许就藏在STW56N60M2这颗强大的功率开关之中。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh M2技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、大电流应用而精心打造。想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源转换系统中，一颗芯片如何成为整个系统稳定高效运行的基石，这就是STW56N60M2所扮演的关键角色。

无论是繁忙数据中心里永不间断的服务器电源，还是工厂自动化产线上精准控制的电机驱动器，亦或是太阳能逆变器中将直流高效转换为交流的核心环节，STW56N60M2都能凭借其600V的耐压能力和高达52A的连续电流处理能力，轻松应对。其卓越的MDmesh M2技术，带来了极低的导通电阻（典型值仅55毫欧），这意味着在传导过程中更少的能量以热量的形式被浪费，直接为您提升了系统整体能效，降低了散热设计的复杂度和成本。更低的栅极电荷（Qg）则确保了快速、干净的开关动作，让您的开关电源工作在更高的频率成为可能，从而进一步缩小磁性元件的体积，助力实现更紧凑、更轻量化的产品设计。

选择STW56N60M2，就是选择了一份来自全球半导体领袖意法半导体的品质承诺。其TO-247的经典封装提供了优异的散热性能和机械强度，确保在高达150°C的结温下依然稳定工作。这颗芯片的出色表现，使其成为工程师在开发高效、可靠功率系统时的信心之选。如果您正在规划项目，不妨联系您信赖的ST代理，获取关于STW56N60M2的详细技术支持和样品，亲身体验它如何为您的设计注入强劲动力与卓越可靠性，让您的产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STW56N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。