STW56NM60N

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高功率开关应用中的损耗与散热问题而烦恼？想象一下，一款能在600V高压下稳定输出45A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计？现在，答案就在眼前来自ST意法半导体的STW56NM60N，正是为应对这些严苛挑战而生的卓越解决方案。

这款N沟道MOSFET采用了ST引以为傲的MDmesh II技术，这不仅仅是一个名称，它代表了更低的导通损耗和更出色的开关性能。其核心价值在于，当您需要处理大功率时，它能以高达300W的耗散能力，确保系统在高温环境下依然稳定运行，最高结温可达150°C，这为您的工业电源、电机驱动乃至不断电系统（UPS）提供了坚实的可靠性保障。无论是面对复杂的电磁环境，还是需要长时间满载工作的严苛场景，它都能游刃有余。

它的身影活跃于众多关键应用领域。在服务器电源和通讯电源中，它高效的电能转换能力直接提升了整体能效，帮助客户节省可观的运营成本。在电机驱动和变频器里，其快速的开关特性确保了精准的控制与平顺的动力输出。即便面对要求极高的电焊机或光伏逆变器，STW56NM60N也能凭借其稳健的表现，成为工程师信赖的核心组件。选择它，意味着您选择了一个经过市场验证的、能够简化设计并提升终端产品竞争力的伙伴。

那么，为何众多领先企业最终将选票投给了它？首先，其TO-247封装兼顾了出色的散热性能与通孔安装的便利性，让您的PCB布局和热管理设计更加从容。其次，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着驱动电路可以更简单、更高效，从而降低系统整体复杂度和成本。最重要的是，它背后是ST意法半导体的品质与技术创新基因。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存，为现有产品的持续生产与维护提供关键支持。这不仅仅是一颗晶体管，更是您构建高效、可靠电力系统的基石。

• 型号:STW56NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 45A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。