STW60N65M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，如果有一款功率器件，能够将卓越的导通性能与极低的开关损耗完美结合，您的产品将释放出怎样的性能潜力？现在，这一切不再是想象。STW60N65M5正是为此而生，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统效率、迈向更高功率密度的关键引擎。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh V技术平台，这颗功率器件天生就为高效而生。其650V的漏源电压和高达46A的连续漏极电流，赋予了它从容应对工业电源、服务器电源、光伏逆变器以及电机驱动等严苛应用场景的强大底气。无论是面对频繁的开关动作，还是需要处理大电流的稳定导通，它都能游刃有余，确保系统运行如丝般顺滑。当您需要构建一个既可靠又高效的功率转换核心时，选择它就意味着选择了经过市场验证的卓越性能。

那么，在众多同类产品中，为何要特别关注STW60N65M5？答案在于其精妙的平衡艺术。仅59毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），直接转化为更低的传导损耗，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性，显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得系统即使在更高频率下工作，也能保持出色的整体效率。这种对“静态”与“动态”损耗的双重优化，正是现代高效电源设计的精髓所在。通过与专业的ST授权代理合作，您不仅能获得这颗性能强劲的芯片，更能获得从选型支持到技术咨询的全方位服务，确保您的设计一次成功。

采用坚固的TO-247封装，它提供了出色的散热能力和高达255W的功率耗散，结合150°C的最高结温，为您的系统提供了宽裕的热设计余量，增强了在恶劣环境下的长期可靠性。选择STW60N65M5，就是选择为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏，它将以稳定的表现，助力您的产品在市场竞争中脱颖而出，赢得客户的持久信赖。

• 型号:STW60N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 46A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6810 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW60N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。