STW88N65M5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗与散热问题而困扰？当系统效率每提升1%都意味着巨大的市场竞争优势时，选择一颗真正出色的功率MOSFET至关重要。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的明星产品STW88N65M5，它正是为破解这些核心挑战而生，将引领您的下一代电源与电机驱动设计迈入新的高度。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩的核心电路中，这颗采用先进MDmesh V技术的功率开关正以高达84A的连续电流和650V的耐压能力稳定运行。其低至29毫欧的导通电阻，意味着在相同电流下，它能将更多的电能高效传递给负载，而非转化为令人头疼的热量。这不仅直接提升了整机效率，更大幅降低了散热系统的复杂度和成本，让您的产品在能效竞赛中轻松胜出。无论是面对严苛的工业环境还是要求7x24小时不间断运行的通信基础设施，它卓越的功率处理能力和高达450W的耗散功率，都为您提供了坚实的可靠性保障。

为何众多领先厂商在关键项目中都信赖STW88N65M5？答案在于其带来的综合价值远超一个简单的元器件。它不仅仅是一个开关，更是一个系统级的效率优化方案。极低的栅极电荷（Qg）和优化的开关特性，让驱动电路设计更为简洁，开关速度更快，从而有效降低了高频应用中的开关损耗。这意味着您的电源可以工作在更高的频率，从而使用更小、更轻的磁性元件，实现产品的小型化和轻量化。其坚固的TO-247-3封装，确保了出色的机械强度和散热性能，让工程师在布局时拥有更大的灵活性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STW88N65M5，就是选择了一份对高性能、高可靠性和卓越能效的坚定承诺，它将帮助您打造出在市场上更具杀伤力的产品。

• 型号:STW88N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW88N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。