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STW90NF20

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-247-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 200V 83A TO247-3
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STW90NF20参数详情:

在追求极致能效的电力转换系统中,您是否曾为功率器件的导通损耗和散热问题而困扰?当电流高达数十安培,电压在200V级别时,一个微小的电阻差异就足以决定系统的成败与效率天花板。今天,我们为您带来一个经受过市场严苛考验的解决方案STW90NF20,这颗源自ST意法半导体STripFET家族的N沟道功率MOSFET,正是为攻克此类挑战而生。

想象一下,在您的大功率开关电源、电机驱动或工业逆变器设计中,STW90NF20能够轻松承载高达83A的连续电流,其核心魅力在于极低的导通电阻在45A、10V驱动条件下,最大值仅23毫欧。这意味着在相同的功率输出下,更多的电能被高效转换,而非以热量的形式白白耗散。其200V的漏源电压耐压值,为您的设计提供了宽裕的安全边际,确保系统在复杂工况下的稳定可靠。尽管该型号已处于停产状态,但其卓越的性能和可靠性使其在存量市场和特定升级项目中依然极具价值,通过可靠的ST中国代理渠道,您依然可以获取到高品质的原装产品,为您的经典设计或备件需求提供坚实保障。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它将直接融入您的电焊机、不间断电源(UPS)或大功率伺服驱动器中,成为能量流畅转换的“守门员”。在每一次开关动作中,其优化的栅极电荷(Qg)特性有助于降低驱动损耗,提升开关频率潜力,从而让您的电源设计可以朝着更小体积、更高功率密度的方向迈进。TO-247-3的经典封装形式,提供了强大的散热基础,结合高达300W的耗散能力,让系统散热设计更加从容。从-50°C到150°C的宽广工作结温范围,更是赋予了它应对严酷工业环境与瞬时过载的坚韧体质。

选择STW90NF20,不仅是选择了一颗高性能的功率器件,更是选择了一份由ST意法半导体深厚技术底蕴背书的信心。它代表了一个时代对功率密度和效率的追求,其设计理念至今仍具启发性。对于那些需要平衡性能、可靠性与总体拥有成本的项目而言,它提供了一个经过验证的优质选项。让这颗强大的“能量开关”,助力您的产品释放出更强劲、更纯净的动力。

  • 型号:STW90NF20
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 83A TO247-3
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):23 毫欧 @ 45A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):164 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5736 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):300W(Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • STW90NF20的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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