STWA12N120K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能够同时驾驭高压与高效，为您的设计注入强劲动力的核心开关器件？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh K5系列的杰出代表STWA12N120K5。它不仅仅是一个参数，更是您突破功率密度瓶颈、构建下一代高性能电源系统的关键拼图。想象一下，在工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率开关电源中，一颗拥有1200V耐压和12A电流能力的N沟道MOSFET，能以极低的导通损耗和卓越的开关性能稳定工作，这意味着更小的散热设计、更高的系统效率以及无与伦比的长期可靠性。

无论是面对严苛的工业环境，还是需要精密控制的消费类高端电源，STWA12N120K5都能游刃有余。其采用的先进MDmesh K5技术，在690毫欧的超低导通电阻与44.2nC的优化栅极电荷之间取得了完美平衡，直接转化为更低的传导损耗和开关损耗。这意味着您的电源模块可以在更高的频率下运行，从而使用更小的磁性元件，整体方案不仅性能强劲，体积也更加紧凑。当您需要构建从千瓦级PFC电路到三相逆变桥臂的各种拓扑时，这颗芯片都能提供坚实的保障，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定输出高达250W的功率。

选择STWA12N120K5，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的价值承诺。它代表了意法半导体在高压MOSFET领域深厚的技术积淀，其TO-247长引线封装不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证。更为重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能确保获得原装正品和具有竞争力的价格，还能享受到专业的技术支持、稳定的供货保障以及灵活的供应链服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。立即将STWA12N120K5纳入您的设计库，让它成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。

• 型号:STWA12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA12N120K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。