STWA30N65DM6AG

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能在严苛环境下稳定输出、同时兼顾成本效益的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案STWA30N65DM6AG。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的高耐压和28A的连续电流能力，正重新定义着高效能功率转换的标准。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大引擎。

想象一下，在新能源汽车的OBC（车载充电机）中，电能需要被高效、安全地转换与管理。STWA30N65DM6AG凭借其高达284W的功率耗散能力和卓越的开关特性，能够显著降低系统在高压大电流工作下的导通与开关损耗，让充电过程更快、更安静、发热更少。它的身影同样活跃于工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高功率服务器电源等关键领域，在这些对稳定性和寿命要求极高的场景中，它如同一位沉默而可靠的守护者，确保动力核心持续、强劲地跳动。

选择STWA30N65DM6AG，意味着您选择了一份来自顶级汽车级品质的承诺。它隶属于Automotive, AEC-Q101产品系列，这意味着它经历了远超工业级标准的严苛测试，能够在-55°C至150°C的极端结温范围内稳定工作，从容应对振动、高温、高湿等挑战。其110毫欧的低导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，让您的系统设计在效率与动态响应上双双占优。通过我们专业的ST中国代理服务，您不仅能轻松获取这颗高性能芯片，更能获得从选型支持到技术咨询的全方位保障，让创新之路畅通无阻。

无论是升级现有产品架构，还是开发面向未来的新一代平台，STWA30N65DM6AG提供的不仅仅是一个参数，更是一个提升整体系统能效、可靠性与功率密度的绝佳机会。它的TO-247长引线封装也为散热设计和生产装配提供了便利。拥抱这颗集高性能、高可靠性与高性价比于一身的功率器件，让它成为您下一个成功产品的坚实基石，共同开启高效能源应用的新篇章。

• 型号:STWA30N65DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:284W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA30N65DM6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。