STWA48N60M2

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束脚，您是否曾渴望一颗能在高压、大电流场景下依然保持冷静与高效的“心脏”？今天，我们为您带来的STWA48N60M2，正是意法半导体MDmesh家族中那颗专为挑战极限而生的功率开关。它不仅仅是一个参数表上的佼佼者，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源电动汽车的充电模块中，稳定可靠的功率转换是系统生命的基石。STWA48N60M2凭借其600V的坚固耐压和高达42A的连续电流处理能力，为您构建起一道安全可靠的防线。其卓越的MDmesh技术，意味着在相同的硅片面积上，实现了更低的导通电阻（Rds(on)）和更优的开关特性。这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，让您的系统在满负荷运行时也能保持“冷静”，显著减少散热需求，从而简化系统结构，提升整体可靠性。

选择STWA48N60M2，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺与性能保障。它高达300W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了其在严苛工业环境下的卓越耐久性。TO-247长引线封装不仅提供了优异的散热路径，也便于安装和焊接。当您通过我们ST授权代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货渠道，更有专业的技术支持与选型建议，让您的产品从设计到量产一路畅通。这颗芯片的价值，在于它能让您的终端产品以更低的能耗、更高的功率密度和更长的使用寿命，在市场中脱颖而出，赢得客户的信赖与青睐。

• 型号:STWA48N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA48N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。