STWA72N60DM2AG

在追求极致能效的今天，您的电源转换系统是否还在为功率损耗和散热问题所困扰？想象一下，如果有一款功率器件，能够将导通电阻大幅降低，让每一分电能都得到更高效的利用，那将为您的产品带来怎样的性能飞跃与竞争优势？现在，这一切不再是想象。STWA72N60DM2AG正是为此而生，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统效率、迈向更高可靠性的关键引擎。

这颗来自意法半导体汽车级产品家族的明星，以其卓越的电气特性，正在重新定义中高功率应用的性能标准。高达600V的漏源电压和66A的连续漏极电流，赋予了它强大的功率处理能力，轻松应对工业电机驱动、服务器电源、新能源车载充电机（OBC）以及大功率不间断电源（UPS）等严苛场景。在这些领域，每一次开关动作都关乎整体系统的稳定与寿命，而STWA72N60DM2AG凭借其极低的42毫欧导通电阻（在33A，10V条件下），能显著减少导通损耗，这意味着更低的发热、更高的能量转换效率，以及更紧凑的散热设计，直接帮助您降低系统成本并提升功率密度。

选择STWA72N60DM2AG，就是选择了一份从容与安心。它严格遵循AEC-Q101标准，专为汽车级可靠性要求打造，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在极端环境下依然稳定运行。其优化的栅极电荷（Qg）特性有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源设计在效率和电磁兼容性（EMI）之间找到完美平衡。当您需要可靠的原厂品质和及时的技术支持时，通过值得信赖的ST授权代理进行采购，不仅能保证货源正宗，更能获得完整的技术链服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。无论是升级现有方案还是开发新一代高性能平台，STWA72N60DM2AG都是您实现高效、可靠、紧凑型功率设计的理想基石。

• 型号:STWA72N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 66A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:121 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5508 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA72N60DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。