STY60NM50

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效时，您是否曾为功率器件的选择而犹豫？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体MDmesh系列中的明星产品STY60NM50，这颗N沟道功率MOSFET以其500V的漏源电压和高达60A的连续漏极电流，为您的高要求应用场景提供了坚实的硬件基石。它不仅仅是一个开关，更是您系统效率和可靠性的守护者。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或大功率开关电源中，每一次开关动作都关乎着整个系统的成败。STY60NM50凭借其MDmesh技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅50毫欧@30A），这意味着在传导过程中，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，系统能效显著提升。其高达560W的功率耗散能力，配合MAX247封装带来的优异散热性能，确保即使在严苛的工况下也能稳定运行，让您的设备在竞争中脱颖而出。

选择STY60NM50，就是选择了一份安心与远见。它卓越的开关特性（栅极电荷Qg仅266nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源拓扑设计可以追求更高的频率和更小的体积。其宽广的工作温度范围（结温高达150°C）和无卤素环保材料，更是满足了现代工业对耐用性与可持续发展的双重期待。如果您正在寻找可靠的ST芯片代理合作伙伴，以获得这颗性能强悍的芯片和全面的技术支持，那么您已经找到了通往成功设计的关键路径。

• 型号:STY60NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:560W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY60NM50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。