STL36N60M6

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为如何平衡高功率密度与卓越热性能而烦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体MDmesh M6系列中的明星产品STL36N60M6，这颗采用先进PowerFlat HV封装的600V N沟道MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您实现下一代高效、紧凑型电源设计的核心引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STL36N60M6正以其高达25A的连续漏极电流和仅110毫欧的超低导通电阻，大幅降低导通损耗。这意味着更少的能量以热能形式浪费，更多的能量被有效利用，直接转化为您产品的核心竞争力更长的运行时间、更低的运营成本以及更可靠的整体性能。其高达160W的功率耗散能力，结合优化的热阻设计，确保即使在严苛工况下也能稳定运行，让您的设计从容应对150°C的高温挑战。

选择STL36N60M6，就是选择了一份面向未来的保障。它源自意法半导体备受赞誉的MDmesh M6技术平台，该平台专为提升开关性能与能效而优化。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。其紧凑的8x8 PowerFlat HV表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，助力实现更小巧的产品设计，其优异的散热特性也简化了热管理方案。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的官方ST代理商网络随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让STL36N60M6成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效能源应用的新篇章。

• 型号:STL36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL36N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。