THBT20011D

在电子系统日益复杂的今天，如何为您的核心电路提供既可靠又经济的瞬态电压保护？答案就隐藏在ST意法半导体精心打造的这款经典器件中。今天，我们向您隆重介绍THBT20011D，一颗专为应对严苛电压浪涌而生的晶闸管浪涌保护器件。它不仅仅是一个元件，更是您设备稳定运行的无声守护者，以高达200V的断态电压和30A的强大浪涌电流处理能力，为您的设计筑起一道坚固防线。

想象一下，在通信接口、工业控制板或电源输入端口，突如其来的雷击感应或开关浪涌可能瞬间摧毁昂贵的核心芯片。THBT20011D正是为此类场景而生。其TRISIL技术能够在电压超过290V导通阈值时迅速动作，将过电压钳位至安全水平，从而保护后级敏感电路。其紧凑的8SOIC表面贴装封装，让您能轻松将其集成到空间受限的PCB设计中，无论是新项目开发还是现有产品的可靠性升级，它都能完美融入。

选择THBT20011D，意味着您选择了源自ST意法半导体的卓越品质与经过市场验证的可靠性。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取到原装正品库存，为您的长期生产需求或备件供应提供保障。这颗器件以3元件集成设计和仅80pF的低电容，最大限度地减少了对高速信号线路的影响，确保保护功能与系统性能兼得。让THBT20011D成为您产品设计中那份安心的保障，以极致的性价比，守护每一次通电的瞬间。

• 型号:THBT20011D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > 晶闸管
• 描述:THYRISTOR 200V 30A 8-SOIC
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 电压 - 导通:290V
• 电压 - 断态:200V
• 电压 - 通态:-
• 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
• 电流 - 保持 (Ih):150 mA
• 元件数:3
• 电容:80pF
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• THBT20011D的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。