




VNH7013XPTR-E
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:PowerSSO-36 TP
- 技术参数:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
VNH7013XPTR-E参数详情:
想象一下,您正在设计一款需要强大、可靠且紧凑的电机驱动解决方案的产品,无论是工业自动化设备还是高性能电动工具。面对市场上琳琅满目的选择,如何确保您的设计在性能、效率和长期可靠性上都脱颖而出?答案或许就藏在VNH7013XPTR-E这颗卓越的芯片之中。它不仅仅是一个驱动器,更是您将创意转化为稳定、高效动力的核心引擎。
这颗来自ST意法半导体VIPower家族的明星产品,天生就为应对严苛挑战而生。其高达72V的最大供电电压和单通道40A的持续输出电流能力,意味着它能轻松驾驭从精密控制到高功率驱动的广泛需求。无论是驱动工业机械臂完成精准动作,还是为园林工具提供澎湃动力,甚至在汽车泵阀等应用中稳定运行,VNH7013XPTR-E都能提供坚实后盾。其极低的导通电阻(低至5.7毫欧)直接转化为更少的热损耗和更高的系统效率,让您的产品在能效比拼中抢占先机,同时显著延长电池续航或降低散热设计压力。
选择VNH7013XPTR-E,就是选择了一份从容与安心。它集成了逻辑接口,简化了您的控制系统设计,让工程师能够更专注于核心算法与应用创新。其坚固的36-PowerBFSOP封装不仅节省了宝贵的PCB空间,更能承受-40°C至175°C的结温范围,确保在极端环境下依然稳定工作。内置的超温保护功能,如同一位无声的守护者,时刻监控芯片状态,有效防止因过热导致的意外损坏,大幅提升了整个系统的耐用性和安全性。当您通过值得信赖的ST授权代理获取此芯片时,您获得的不仅是正品保障,更是完整的技术支持和供应链稳定性,让您的项目从研发到量产一路畅通。
在追求产品极致性能与可靠性的道路上,每一个元器件的选择都至关重要。VNH7013XPTR-E以其强大的驱动能力、出色的能效表现和内置的智能保护,为您提供了一个经过市场验证的优质解决方案。它让复杂的电机驱动变得简单可靠,将您从繁琐的底层驱动设计中解放出来,从而更快地将更强大、更智能的产品推向市场。现在就让它成为您下一个成功项目的动力心脏吧。
- 型号:VNH7013XPTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSSO-36 TP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:4 N 沟道(半桥)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):36V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.3 毫欧 @ 5A,10V,5.7 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):23nC @ 10V,36nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1250pF @ 25V,1836pF @ 25V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:36-PowerBFSOP(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
- VNH7013XPTR-E的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















