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ESDARF03-1BF3

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:4-覆晶
  • 技术参数:TVS DIODE 3VWM 4FLIPCHIP
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

ESDARF03-1BF3参数详情:

您是否曾因静电放电(ESD)导致的天线信号干扰而烦恼?在追求极致连接稳定性的今天,任何微小的瞬态电压冲击都可能让精心设计的射频性能大打折扣。这正是ESDARF03-1BF3大显身手的舞台它不仅仅是一颗保护元件,更是您射频前端可靠性的守护神。

想象一下,在智能手机、可穿戴设备或物联网模块中,那根纤细而关键的天线正暴露在各种静电威胁之下。ESDARF03-1BF3以其仅为0.6pF的超低电容,几乎不对高频信号造成任何损耗,确保您的通信链路畅通无阻。它像一位敏锐的卫士,在3V的反向断态电压下保持静默,一旦遭遇高达6V的瞬态冲击,便瞬间启动箝位,将高达60W的峰值脉冲功率安全泄放,把危险隔绝在核心电路之外。这种精准而迅速的反应,让您的产品在面对突发静电时依然能保持优雅与稳定。

无论是消费电子还是工业传感节点,对空间和性能的苛求从未停止。ESDARF03-1BF3采用微小的4-FlipChip BGA封装,为寸土寸金的PCB布局节省了宝贵空间,其表面贴装特性也让自动化生产更加高效。它专为RF天线保护而生,工作温度横跨-30°C至85°C,适应从严寒到酷暑的各种应用环境。选择它,就是为您的产品选择了一份经得起考验的可靠性背书。当您需要为设计注入这份安心的保护时,我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到供应的全方位支持。

尽管该型号已处于停产状态,但其在特定存量项目或对极致低电容有刚性需求的设计中,依然具有不可替代的价值。它代表了ST在TVS二极管领域对性能边界的一次成功探索。如果您正在寻找一种能无缝融入高频链路、提供隐形却强大保护的解决方案,ESDARF03-1BF3所展现的设计哲学与性能指标,无疑为您提供了一个值得深入评估的经典范例。让我们携手,将这份稳定与可靠,嵌入您下一个连接世界的创新之中。

  • 型号:ESDARF03-1BF3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:4-覆晶
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3VWM 4FLIPCHIP
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):3V
  • 电压 - 击穿(最小值):6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:60W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:RF 天线
  • 不同频率时电容:0.6pF @ 1MHz
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-WFBGA,FCBGA
  • 供应商器件封装:4-覆晶
  • ESDARF03-1BF3的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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