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FERD15S50DJF-TR

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:PowerFlat(5x6)
  • 技术参数:DIODE FERD 50V 15A POWERFLAT
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

FERD15S50DJF-TR参数详情:

在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为整流环节的损耗和发热所困扰?想象一下,一个关键元件就能显著提升整体效率,让您的产品在竞争中脱颖而出。这正是FERD15S50DJF-TR带来的核心价值。作为ST意法半导体PowerFlat家族中的明星成员,它不仅仅是一颗整流二极管,更是您实现高效、紧凑、可靠电源方案的得力助手。

这颗芯片的卓越之处,首先体现在其革命性的低导通损耗上。它采用先进的FERD(场效应整流器二极管)技术,在10A电流下,正向压降(Vf)仅为480mV。这意味着在相同的电流处理能力下,它产生的热量远低于传统肖特基二极管,从而大幅降低了系统的热管理压力,提升了长期运行的可靠性。无论是服务器电源、工业电机驱动,还是日益普及的电动汽车车载充电器(OBC),高效整流都是提升整机效率、缩小体积、降低噪音的关键一环。当您的设计需要处理高达15A的平均整流电流,并在50V的反向电压下保持稳定时,FERD15S50DJF-TR都能游刃有余,确保能量转换过程顺畅无阻。

除了静态性能,动态表现同样至关重要。其快速恢复特性(≤500ns)能有效抑制开关过程中的电压尖峰和振铃,减少电磁干扰(EMI),这对于工作在高频开关模式下的现代电源拓扑(如PFC、LLC谐振转换器)来说意义非凡。更低的开关损耗意味着更高的开关频率可以成为可能,从而允许使用更小的磁性元件,进一步优化电源的功率密度。选择FERD15S50DJF-TR,就是选择了一种面向未来的设计思路。它采用的8-PowerVDFN(PowerFlat 5x6)封装,不仅提供了优异的散热性能,其紧凑的占板面积更是为空间受限的便携设备、分布式电源模块(如POL转换器)和超薄电视/显示器电源板带来了福音。当您需要将高性能与小型化完美结合时,它就是那个理想的答案。

因此,无论您是正在开发新一代数据中心电源、寻求更可靠的工业自动化设备方案,还是致力于打造更轻便、续航更长的消费电子产品,FERD15S50DJF-TR都值得您重点关注。它承载了ST意法半导体在功率半导体领域的深厚积淀,以扎实的参数和经过市场验证的可靠性,为您的产品注入强劲的“芯”动力。如需获取样品、技术资料或批量采购支持,欢迎联系我们的ST中国代理团队,我们将为您提供专业、高效的一站式服务,助力您的创意更快落地成市场爆款。

  • 型号:FERD15S50DJF-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE FERD 50V 15A POWERFLAT
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:FERD(场效应整流器二极管)
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 10 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650 A @ 50 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerFlat(5x6)
  • 工作温度 - 结:150°C(最大)
  • FERD15S50DJF-TR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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