STP18NM80

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望找到一款既能承载高压大电流，又能保持低温高效运行的功率开关解决方案？今天，我们为您带来答案来自ST意法半导体的STP18NM80。这款800V耐压、17A电流能力的N沟道功率MOSFET，不仅仅是参数的堆砌，更是性能与可靠性的完美融合。它基于业界领先的MDmesh技术平台打造，专为应对严苛的工业环境而生，旨在帮助您的产品在激烈的市场竞争中，以卓越的能效和稳定性脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效照明镇流器的核心电路中，STP18NM80正扮演着能量高效转换的关键角色。其高达800V的漏源击穿电压，为您提供了充裕的电压裕量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而17A的连续电流处理能力，结合低至295毫欧的导通电阻，意味着在传导大电流时，芯片自身的损耗被降至极低，更多的电能被有效输送给负载，而非转化为无谓的热量。这不仅直接提升了系统整体效率，更大幅简化了散热设计，让您的设备结构更紧凑，运行更安静、更持久。

选择STP18NM80，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性，确保了快速、干净的开关动作，既能减少开关损耗以提升频率和效率，又能有效抑制电磁干扰(EMI)，让您的产品轻松满足各类认证标准。坚固的TO-220AB封装和高达190W的功率耗散能力，赋予了它卓越的散热性能和机械可靠性，即使在150°C的结温下也能稳定工作，为您的长期稳定运行保驾护航。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅确保您获得原装正品，更能提供专业的技术支持和供应链保障。立即将STP18NM80纳入您的设计，体验它如何以强大的性能释放您系统的全部潜能，打造出更节能、更可靠、更具竞争力的新一代电力电子设备。

• 型号:STP18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18NM80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。