SCTH40N120G2V7AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一款能够同时驾驭高温、高压与高频挑战的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一个颠覆性的答案SCTH40N120G2V7AG。这款来自ST意法半导体的碳化硅（SiC）功率MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您实现系统性能飞跃、抢占市场先机的关键引擎。它代表了从传统硅基技术向宽禁带半导体进化的必然趋势，将效率、功率密度和可靠性提升到了一个前所未有的新高度。

想象一下，在新能源汽车的OBC（车载充电机）中，电能正以更高的频率和更低的损耗进行转换，让充电速度更快，续航焦虑更少；在服务器电源和工业电机驱动中，系统运行得更加安静、凉爽，因为能量损失被大幅削减，散热设计得以简化。这正是SCTH40N120G2V7AG大显身手的舞台。其650V的耐压和33A的连续电流能力，配合SiC材料天生的低导通损耗和超快开关特性，让它在这些要求严苛的应用中游刃有余。它不仅能帮助您的产品轻松满足日益提升的能效标准，更能让整个系统设计更加紧凑，释放宝贵的空间，为集成更多功能或实现更小型化设计创造可能。

选择SCTH40N120G2V7AG，就是选择了一份面向未来的技术保障。它隶属于ST的汽车级（Automotive, AEC-Q101）产品系列，这意味着它经历了最严苛的可靠性验证，能够在-55°C至175°C的结温范围内稳定工作，完美应对汽车电子和工业环境中的振动、高温与温度循环挑战。其H2PAK-7封装不仅提供了卓越的散热性能，确保250W的功率耗散能力，其表面贴装形式也契合了现代自动化生产的需求。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着驱动更简单，开关速度更快，从而显著降低开关损耗，提升系统整体效率。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，以确保获得原装正品和完整的技术服务。让SCTH40N120G2V7AG成为您下一代高性能电源与驱动设计的核心，共同开启高效、绿色的电力新时代。

• 型号:SCTH40N120G2V7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105毫欧 @ 20A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1230 pF @ 800 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• SCTH40N120G2V7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。