STB150NF04

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备超低导通损耗的功率开关而困扰？想象一下，当您的电源模块或电机驱动系统需要处理高达80A的连续电流时，传统的MOSFET往往伴随着难以忽视的热损耗和效率瓶颈。现在，让我们向您介绍一个经过市场验证的卓越解决方案STB150NF04，它正是为打破这种困境而生。

这颗源自ST意法半导体经典STripFET II系列的产品，虽然已进入停产状态，但其卓越的性能参数使其在特定应用领域依然闪耀着不可替代的价值。其核心魅力在于那惊人的7毫欧超低导通电阻（在40A，10V条件下），这意味着在相同的电流负载下，它能将导通损耗降至极低水平，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。高达300W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它应对严苛环境和突发过载的强悍底气。无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流环节，还是工业变频器里需要快速响应的电机驱动桥臂，甚至是新能源车车载充电机(OBC)中的关键开关位置，STB150NF04都能以其稳定的40V耐压和强大的电流处理能力，成为系统可靠运行的坚实基石。

选择STB150NF04，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。其D2PAK封装在提供出色散热性能的同时，也兼容成熟的表面贴装工艺，便于您的生产制造。尽管产品状态显示停产，但通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以获得稳定优质的货源，用于维护现有经典设计或开发对成本与性能有特殊权衡要求的新项目。它代表了一个时代的性能标杆，用实实在在的低阻、高流、强散热特性，帮助您的产品在能效竞赛中赢得关键优势，让动力传递更顺畅，让能量转换更纯净。

• 型号:STB150NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB150NF04的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。