STB18NF25

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在高压、大电流场景下稳定工作，同时兼顾出色散热与紧凑封装的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体旗下的明星产品STB18NF25，这颗专为严苛应用而生的N沟道MOSFET，正是您突破设计瓶颈、打造下一代高性能系统的理想选择。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）或DC-DC转换器中，需要处理高达250V的电压和持续17A的电流，环境温度变化剧烈，对器件的稳定性和耐久性提出了近乎苛刻的要求。STB18NF25凭借其卓越的STripFET II技术，将导通电阻（RdsOn）控制在极低的165毫欧（@8.5A, 10V），这意味着更低的导通损耗和发热量，直接转化为更高的系统效率和更长的运行寿命。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）和符合AEC-Q101汽车级标准的质量认证，让它从容应对从冰冷启动到高温满载的各种挑战，为您的产品注入全天候的可靠性基因。

它的价值远不止于汽车电子。在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、大功率LED照明驱动乃至高效的服务器电源中，STB18NF25都能大显身手。其优化的栅极电荷（Qg仅29.5nC）和输入电容特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，有助于减少开关损耗，提升整体频率响应，让您的电源设计在效率和动态性能上双双领先。选择它，就是选择了一种经过市场验证的稳健方案。我们作为专业的ST芯片代理，不仅提供这颗性能强劲的芯片，更致力于为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务，确保您的创新想法能够快速、稳妥地转化为具有市场竞争力的产品。

当您需要在性能、可靠性和成本之间寻找最佳平衡点时，STB18NF25提供了一个无可争议的答案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品力、赢得客户信任的关键伙伴。立即采用STB18NF25，开启高效、可靠的电能转换新篇章，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STB18NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18NF25的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。