STB19NF20

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够将200V高压下的导通电阻降至仅160毫欧的功率器件，能为您的系统带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的革新力作STB19NF20。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是MESH OVERLAY技术家族中的一颗明星，以其高达15A的连续漏极电流和90W的强大功率处理能力，重新定义了中高压应用的效率标准。

无论是工业电机驱动中需要精准控制的变频器，还是服务器电源里要求高效稳定的DC-DC转换模块，甚至是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电机(OBC)，STB19NF20都能游刃有余。其卓越的开关特性（栅极电荷Qg仅24nC）意味着更快的切换速度和更低的驱动损耗，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更低的温升和更高的可靠性脱颖而出。当您需要一位值得信赖的合作伙伴来获取这颗高性能芯片时，专业的ST代理将是您坚实可靠的后盾。

选择STB19NF20，就是选择了一份安心与超越。它采用坚固的D2PAK封装，确保优异的散热性能和机械强度，轻松应对-55°C至150°C的严苛工作环境。其优化的Vgs(th)阈值电压与±20V的宽泛栅极电压范围，为您提供了灵活且稳健的驱动设计空间。这意味着，从原型设计到批量生产，您都能获得一致的高性能表现，大幅缩短开发周期，加速产品上市。让STB19NF20成为您下一个成功项目的强大“心脏”，开启能效新纪元。

• 型号:STB19NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB19NF20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。