STF12N60M2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低导通电阻与卓越开关性能于一身的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STF12N60M2。这款来自ST意法半导体MDmesh M2家族的明星产品，正是为应对严苛的工业与消费类应用挑战而生，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统可靠性与效率的关键引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高性能LED照明和适配器，STF12N60M2都能游刃有余。其600V的漏源电压和9A的连续漏极电流，为系统提供了坚固的安全边际和强大的功率处理能力。更重要的是，它采用了先进的MDmesh M2技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低，这意味着在相同电流下，芯片自身的功耗更小，发热量大幅减少。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了极快的开关速度，让您的系统工作在更高频率成为可能，从而缩小磁性元件的体积，实现整体方案的微型化和轻量化。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST授权代理身份是您信心的坚实保障。

选择STF12N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。TO-220FP封装在提供优异散热性能的同时，也兼顾了安装的便利性。高达150°C的结温工作范围，赋予了它在恶劣环境下稳定运行的超凡耐力。这颗芯片的价值，不仅体现在其优异的参数上，更在于它能帮助您简化设计、降低系统总成本并加速产品上市。让STF12N60M2成为您下一个成功项目的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STF12N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。