STB20NM50T4

当您需要一款能在高压环境下稳定输出强劲功率的MOSFET时，您是否曾为平衡性能、可靠性与成本而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh系列中的明星产品STB20NM50T4。这颗芯片不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、简化设计复杂性的强大引擎。它拥有高达550V的漏源电压和20A的连续漏极电流，这意味着它能轻松驾驭严苛的电力环境，为您带来前所未有的稳定性和耐久性。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或工业照明系统中，STB20NM50T4正以其卓越的性能默默工作。它采用先进的MDmesh技术，将导通电阻（Rds(on)）有效降低，在10A电流、10V驱动电压下，最大值仅为250毫欧。这不仅显著减少了导通损耗，提升了整体能效，更意味着更低的发热量和更高的功率密度。无论是面对PFC（功率因数校正）电路中的高频开关，还是UPS（不间断电源）中的能量转换，它都能游刃有余，确保您的设备在-65°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，为您的产品注入持久生命力。

选择STB20NM50T4，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。意法半导体的深厚技术积淀，确保了这颗芯片在每一个参数上都经得起推敲。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更加迅速、平滑，有效降低了开关损耗和驱动电路的设计难度。表面贴装型D2PAK封装，不仅便于自动化生产，也提供了出色的散热能力，最大功率耗散可达192W。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，请务必认准我们的ST一级代理身份，我们将为您提供从选型到量产的全方位服务，让您的创新之路更加顺畅高效。

• 型号:STB20NM50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20NM50T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。