STB22NM60N

在追求更高能效与可靠性的电源设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STB22NM60N。这款来自ST意法半导体的功率MOSFET，以其MDmesh II技术的深厚底蕴，重新定义了600V级别功率器件的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，高效稳定的功率转换是核心命脉。STB22NM60N正是为此类严苛应用而生。其高达600V的漏源电压和16A的连续漏极电流，赋予了系统强大的功率处理能力，轻松应对各种浪涌和负载波动。更令人振奋的是，其极低的导通电阻（仅220毫欧）与优化的栅极电荷特性，能显著降低导通损耗和开关损耗，这意味着您的设备运行更凉爽，效率更高，寿命也更长久。无论是面对紧凑的空间布局还是高温的工作环境，它都能游刃有余。

选择STB22NM60N，就是选择了一份来自顶尖半导体品牌的品质保证与性能信心。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，也兼容成熟的表面贴装工艺，让您的生产集成更加便捷高效。虽然该型号已不适用于全新设计，但对于众多需要高可靠性替代或升级的现有项目而言，它依然是经过市场长期验证的黄金选择。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们推荐您联系官方授权的ST代理。让STB22NM60N成为您下一个成功产品的坚实基石，共同开启能效新纪元。

• 型号:STB22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB22NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。