STB76NF75

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否曾因开关损耗过高而困扰？当系统需要处理高达80A的连续电流时，每一次开关动作的效率都直接影响着整体性能和发热。现在，让我们向您介绍一个能够显著提升系统表现的解决方案STB76NF75。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET II技术，将导通电阻（RdsOn）在40A、10V条件下压降至仅11毫欧，这意味着更低的传导损耗和更出色的热管理能力，让您的电源设计从一开始就赢在起跑线上。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率DC-DC转换器或电动工具等高要求应用场景中，系统需要在严苛环境下稳定运行。STB76NF75凭借其75V的漏源电压（Vdss）和高达300W（Tc）的功率耗散能力，为这些应用提供了坚实的保障。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C TJ）确保了即使在极端环境中也能保持可靠性能，让您的产品无惧挑战，持续稳定输出强大动力。选择它，就是为您的核心动力单元选择了经得起考验的耐用性。

那么，在众多功率器件中，为何STB76NF75能脱颖而出？答案在于其精妙的平衡艺术。它不仅拥有强悍的电流处理能力，更通过优化的栅极电荷（Qg，最大值160nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值3700pF @ 25V）参数，实现了快速的开关速度与低驱动损耗的完美结合。这直接转化为更高的开关频率潜力和更低的整体系统功耗，让您的设计在效率竞赛中遥遥领先。当您需要可靠的技术支持和货源保障时，可以随时联系我们的ST代理，他们将为您提供专业的产品选型与供应链服务。选择STB76NF75，不仅仅是选择了一颗芯片，更是选择了一种致力于提升能效、简化设计并保障可靠性的承诺，它将为您的下一个创新项目注入强大的核心动力。

• 型号:STB76NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB76NF75的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。