STD11N60DM2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh DM2系列中的明星产品STD11N60DM2。这颗650V、10A的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈而生，它将以其卓越的性能，为您的产品注入强劲而高效的“芯”动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高功率LED照明驱动器中，每一次开关都意味着能量的转换与损耗。STD11N60DM2凭借其先进的MDmesh DM2技术，将导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）实现了精妙的平衡。这意味着在相同的条件下，它不仅导通更顺畅，损耗更低，而且开关速度更快，显著降低了开关损耗和驱动需求。无论是应对严苛的工业环境，还是追求极致效率的消费类电源，它都能游刃有余，确保系统运行更凉爽、更稳定、寿命更长。

为什么越来越多的工程师在650V电压等级应用中转向选择它？核心在于其带来的综合价值提升。高达110W的功率处理能力，结合DPAK封装优秀的散热特性，让您在有限的空间内也能实现强大的功率输出。其低至420毫欧的导通电阻，直接转化为更低的传导损耗，提升整机效率。同时，优化的动态特性有助于简化驱动电路设计，降低系统整体成本。选择STD11N60DM2，不仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种更可靠、更高效的设计方案。如需获取样品、技术支持和有竞争力的价格，欢迎联系我们的ST中国代理团队，我们将为您提供一站式服务，助力您的产品快速成功上市。

• 型号:STD11N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:614 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。