STD14NM50NAG

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在紧凑的空间内实现强大的功率处理能力，同时确保系统在严苛环境下稳定运行？今天，我们为您带来的STD14NM50NAG，正是意法半导体为应对这些挑战而精心打造的解决方案。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是将高性能、高可靠性与卓越能效融于一体的动力核心，专为要求严苛的汽车级应用而生。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，或在工业伺服驱动的功率模块里，一颗功率器件需要承受频繁的开关动作、高电压应力以及可能的环境温度波动。STD14NM50NAG凭借其500V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力，为您提供了充足的功率余量。其核心采用的MDmesh II技术，通过优化的单元结构，将导通电阻（RdsOn）显著降低至仅320毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则直接转化为更快的开关速度和更高的开关频率潜力，让您的电源设计能够迈向更高效率的领域，轻松应对PFC、DC-DC转换、电机驱动等关键环节。

选择STD14NM50NAG，就是选择了一份安心的保障。它严格遵循AEC-Q101汽车级认证标准，结温（TJ）高达150°C，确保了在发动机舱附近或高环境温度下依然稳健如初。表面贴装的DPAK封装，在提供出色散热性能的同时，也满足了现代电子设备对高功率密度和小型化的不懈追求。无论您是设计新一代的LED驱动电源、UPS系统，还是升级工业自动化设备，这颗芯片都能成为您提升产品竞争力、赢得市场信赖的坚实基石。如需获取样品或技术支持，我们的合作伙伴专业的ST代理商团队随时准备为您服务。

• 型号:STD14NM50NAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD14NM50NAG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。