STD2LN60K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够轻松驾驭600V高压，同时将导通损耗降至极致的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STD2LN60K3为您带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、延长产品寿命并赢得市场竞争力的关键引擎。

源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH3技术平台，这颗芯片天生就拥有卓越的基因。其4.5欧姆的超低导通电阻（RDS(on)），意味着在相同的电流下，它能将更多的电能高效地传递给负载，而非转化为令人头疼的热量。高达45W的功率处理能力和150°C的结温，赋予了它无与伦比的坚固性与环境适应性，让您的设计在面对苛刻工况时依然从容不迫。无论是紧凑型开关电源(SMPS)中的初级侧开关，还是电机驱动、照明镇流器中的功率转换环节，它都能以稳定、高效的表现为系统心脏提供强劲动力。

选择STD2LN60K3，就是选择了一份经过市场千锤百炼的可靠保障。它完美平衡了电压耐受性、电流处理能力与开关速度，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，让驱动电路设计更为简洁，有效降低了开关损耗，提升了整体频率响应。这意味着您的产品不仅能实现更高的功率密度，还能在能效比拼中脱颖而出。我们作为专业的ST授权代理，不仅确保您获得原装正品与稳定的供货支持，更能提供深度的技术协同，帮助您将这颗芯片的潜力发挥到极致。从概念到量产，让STD2LN60K3成为您打造下一代高效、可靠电力电子产品的秘密武器。

• 型号:STD2LN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2LN60K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。